兆馳半導體、乾照光電最新公布！4個Micro LED相關專利|即時

行家說快訊：

近期，行家說Display通過企查查了解到，乾照光電、兆馳半導體等多家企業均有MicroLED相關專利在近期有進入公布階段。

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(資料圖)

兆馳半導體：一種MicroLED芯片及其制備方法

6月6日，兆馳半導體公布了“一種Micro LED芯片及其制備方法”的發明專利。

本發明提供一種Micro LED芯片及其制備方法，該方法通過將紅綠藍三色外延層制備在同一個襯底上，然后再依此制備電流擴展層、反射墻、第一電極、布拉格反射層、第二電極及焊盤層，且所述反射墻設置于紅綠藍三色四周，使得紅綠藍三色芯片側面出光可以通過反射墻反射從襯底面射出，避免了的藍光外延層吸收綠光芯片的側面出光，綠光外延層吸收紅光芯片的側面出光，造成綠光芯片和紅光芯片的亮度損失。

所述方法制備的Micro LED芯片不需要襯底剝離工藝，降低了襯底剝離工藝所需要的高額成本，同時該方法還可以同時在襯底上完成N個像素點，相當于無限的縮小像素點之間的距離，得到更優秀的顯示效果。

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兆馳半導體：一種Micro LED芯片及其制備方法

除此之外，5月23日，兆馳半導體還在企查查公布了一種“用于Micro LED的外延片及其制備方法”的發明專利。

本發明公開了一種用于Micro LED的外延片及其制備方法、Micro LED，涉及半導體光電器件領域。用于Micro LED的外延片包括襯底和依次設于襯底上的形核層、本征GaN層、N?GaN層、V型坑開口層、多量子阱層、電子阻擋層和P?GaN層；

V型坑開口層包括依次層疊的SiO2島層、SiO2島填平層和V型坑開口延伸層；

SiO2島層包括多個陣列分布于N?GaN層上的SiO2島；

SiO2島填平層包括AlN層；

V型坑開口延伸層為InGaN層和第一AlGaN層交替生長形成的周期性結構。

實施本發明，可提升發光二極管的發光效率，提高抗靜電能力，提高發光波長和發光亮度均勻性。

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乾照光電：一種LED芯片及其制備方法

5月30日，乾照光電公布了“一種LED芯片及其制備方法”的發明專利。

本發明提供了一種LED芯片及其制備方法，通過將襯底設置具有多個凸起，所述發光結構層疊于所述襯底具有凸起的一側表面；其中，所述凸起沿第一方向的橫截面積逐漸減小；沿第一方向上所述凸起的單位高度所對應的橫截面積差值為變化速率，則變化速率和凸起高度的曲線呈“V”形；所述第一方向垂直于所述襯底，并由所述襯底指向所述發光結構。

基于上述設置所獲得的凸起形狀，使得光在所述凸起形成更全面的反射方向，從而擴大了LED芯片的發光角度；如此，在后續顯屏組裝時可簡化背光設計，尤其適用于微型LED芯片(如Mini LED或Micro LED等)。

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乾照光電：一種Micro LED顯示裝置及其制作方法

除此之外，5月12日，乾照光電公布了“一種Micro LED顯示裝置及其制作方法”發明專利。

本發明提供一種Micro LED顯示裝置及其制作方法，其中Micro LED顯示裝置包括：驅動電路單元，設置在驅動電路單元上的若干像素單元。

每個像素單元均包括：發光單元，發光單元通過分割道間隔設有三個發光結構，三個發光結構為紫外光發光結構或紫光發光結構，通過熒光粉激發獲得白光，經過紅、綠、藍三基色濾光片后，結合控制第一電極、第二電極、第三電極和第四電極，可以實現紅、綠、藍三基色單色控制及其混色控制。

第一電極、第二電極、第三電極和第四電極同時設置在背光面這一側，可增加出光面的發光面積，且第四電極通過分割道與透明導電層連接，可明顯增大電流擴展和增強電導熱能力，進而提高Micro LED顯示裝置的發光效率和可靠性。

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